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6.5.2电力电子基础元器件制造
3824* 电力电子元器件制造 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET） 3824002；
绝缘栅双极晶体管芯片（IGBT）及模块 3824003；
快恢复二极管（FRD） 3824004；
功率肖特级二极管 3824005；
中小功率智能模块 3824006；
5英寸以上大功率晶闸管（GTO） 3824007；
集成门极换流晶闸管（IGCT） 3824008；
新型真空开关管 3824009；
新型动态无功补偿及谐波治理装置 3824011；
大功率高压变频装置（GB/T30843.1-2014《1kV以上不超过35kV的通用变频调速设备第1部分：技术条件》；GB/T30843.2-2014《1kV以上不超过35kV的通用变频调速设备第2部分：试验方法》；GB/T30843.3-2017《1kV以上不超过35kV的通用变频调速设备第3部分：安全规程》） 3824012；
全数字控制交流电机调速系统 3824013；
电气化铁路专用电力变流装置 3824014；
超、特高压交直流输变电设备用绝缘成型件 3824015；
"垂直双扩散金属-氧化物场效
应晶体管（VDMOS） 3824016；"
可控硅（SCR） 3824017；
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